Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS42DN
SISS42DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS42DN-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 11.8A sürekli akım (Ta) ve 40.5A ısıl sınırında çalışır. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketine sahiptir. 14.4mOhm (10V, 15A şartlarında) açık-kapalı direnci düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Gate eşik gerilimi 3.4V (250µA) ve maksimum gate gerilimi ±20V'dir. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.8A (Ta), 40.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok