Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS32LDN
SISS32LDN-T1-GE3 Hakkında
SISS32LDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim ile tasarlanan bu bileşen, 17.4A sürekli drain akımı (Ta) ve 63A akımı (Tc) sağlayabilir. PowerPAK® 1212-8SH yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. Gate charge özelliği 57nC olup, hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.4A (Ta), 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok