Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS30LDN
SISS30LDN-T1-GE3 Hakkında
SISS30LDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8S paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (8.5mOhm @ 10A, 10V) sayesinde verimli güç anahtarlaması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Güç denetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 50nC kapısı yükü ve 2070pF giriş kapasitansi hızlı anahtarlama özelliğine katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 55.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok