Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS30DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS30DN
SISS30DN-T1-GE3 Hakkında
SISS30DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 15.9A ve Tc'de 54.7A'e kadar kontinü dren akımı sağlar. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı paketinde sunulan MOSFET, düşük 8.25mOhm (10V, 10A) on-resistance değerine sahiptir. Gate charge değeri maksimum 40nC'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, ışık kontrolü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 3.8V eşik gerilimi ile hassas kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1666 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.25mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok