Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS28DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS28DN
SISS28DN-T1-GE3 Hakkında
SISS28DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.52mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK 1212-8S yüzey monte paketlemesi, kompakt tasarımlar için uygun boyutlandırmaya sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3640 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.52mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok