Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS27DN
SISS27DN-T1-GE3 Hakkında
SISS27DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 50A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. PowerPAK 1212-8S yüzey montaj paketinde sağlanan bu bileşen, düşük on-state direnci (5.6mΩ @ 10V, 15A) sayesinde güç kaybını minimize eder. -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5250 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok