Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS26LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS26LDN
SISS26LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS26LDN-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 23.7A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 4.3mOhm (10V, 15A) düşük on-direnci (Rds On) sayesinde enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok