Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS26DN
SISS26DN-T1-GE3 Hakkında
SISS26DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source geriliminde 60A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük iletim direnci (Rds On: 4.5mΩ @ 10V) ile motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı pakette sunulan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 57W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 37nC gate charge ve 1710pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok