Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS23DN
SISS23DN-T1-GE3 Hakkında
SISS23DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ düşük On-Resistance değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, ±8V Gate-Source gerilim aralığında çalışır. -50°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, pil şarj devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8840 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok