Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS22LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS22LDN
SISS22LDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS22LDN-T1-GE3, 60V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 25.5A sürekli drenaj akımı (Ta @ 25°C) ve 92.5A (Tc) kapasitesine sahiptir. 3.65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı kasa tipi, kompakt uygulamalar için uygundur. Gate charge 56nC @ 10V olup hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlama kaynakları ve yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2540 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok