Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS22DN
SISS22DN-T1-GE3 Hakkında
SISS22DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 25A sürekli dren akımı (Ta: 25°C) ve 90.6A akım kapasitesi (Tc) sunmaktadır. PowerPAK® 1212-8S yüzey montaj paketinde sağlanan bu bileşen, düşük 4mΩ on-resistance değeri ile güç dönüşüm uygulamalarında verimlilik sağlar. Gate charge 44nC ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanıma uygundur. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile esnek sürücü devresi tasarımı mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 90.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok