Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS12DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS12DN
SISS12DN-T1-GE3 Hakkında
SISS12DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim kapasitesi ile 37.5A sürekli akım (Ta), 60A pik akım (Tc) sağlayabilir. PowerPAK® 1212-8S SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (1.98mΩ @ 10A, 10V) ile yüksek verimlilik sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 65.7W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Güç yönetimi, motor sürücüsü, anahtarlama uygulamaları ve dc-dc dönüştürücüler gibi endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 89nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.5A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4270 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.98mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok