Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS10ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS10ADN
SISS10ADN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISS10ADN-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, 25°C'de 31.7A ve 150°C'de 109A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı pakette sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (2.65mOhm @ 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajında optimum çalışması, modern düşük gerilim uygulamalarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.7A (Ta), 109A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3030 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok