Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS08DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS08DN
SISS08DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS08DN-T1-GE3, 25V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 53.9A sürekli drain akımı (Ta) ve 195.5A maksimum drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 1.23mOhm on-resistance (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8S SMD paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve motor sürücüleri gibi yüksek akım gerektiren sistemlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 65.7W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3670 pF @ 12.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.23mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok