Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS05DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS05DN
SISS05DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISS05DN-T1-GE3, 30V drain-source geriliminde çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 29.4A (Ta) / 108A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.5mΩ (10V, 10A) düşük on-state direnci, 115nC gate charge ve PowerPAK® 1212-8S yüzey montajlı paketleme özellikleriyle güç yönetimi, anahtarlama ve düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrolörler, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve anahtarlayıcı uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29.4A (Ta), 108A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok