Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISS04DN
SISS04DN-T1-GE3 Hakkında
SISS04DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 50.5A (Ta) / 80A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlar. 1.2mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8S yüzey montajlı paket ile yoğun uygulamalara uygun tasarlanmıştır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç denetim devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Aktif üretimde olan bu bileşen, 4.5V ve 10V sürü gerilimleri ile kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50.5A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok