Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISHA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISHA14DN
SISHA14DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISHA14DN-T1-GE3, 30V drain-source voltaj ve 19.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. PowerPAK® 1212-8SH yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, düşük 5.1mΩ RDS(on) değeri ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunarak, 26.5W'a kadar güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.7A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok