Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISHA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISHA12ADN
SISHA12ADN-T1-GE3 Hakkında
SISHA12ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 22A (Ta) / 25A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.3mOhm düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK 1212-8SH yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlarda yer alır. Anahtarlama hızlığı ve düşük enerji kaybı nedeniyle DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç yönetimi ve LED sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok