Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH892BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK SO-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH892BDN
SISH892BDN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISH892BDN-T1-GE3, 100V Drain-Source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6.8A (Ta) / 20A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 30.4mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 26.5nC gate yükü ve 1110pF input kapasitanası hızlı sürülmesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1110 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8DC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok