Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH625DN
SISH625DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISH625DN-T1-GE3, PowerPAK 1212-8SH paketinde sunulan P-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj derecesi ve 25°C'de 17.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Maksimum 7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya elverişlidir. Surface mount teknolojisiyle PCB tasarımında kompakt alan tasarrufu sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4427 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok