Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH617DN
SISH617DN-T1-GE3 Hakkında
SISH617DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 13.9A sürekli drain akımı (Ta) ve 35A (Tc) kapasitesi ile anahtar ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirmektedir. 12.3mΩ RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı sağlar. PowerPAK 1212-8SH yüzey montaj paketi içinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.9A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 13.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok