Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH615ADN
SISH615ADN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISH615ADN-T1-GE3, PowerPAK 1212-8SH paketinde sunulan P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteğinde 22.1A (Ta) / 35A (Tc) sürekli drenaj akımı sağlar. 4.4mΩ RDS(on) değeri ile düşük kanat direnci sunar. Gate charge 183nC, input capacitance 5590pF özellikleriyle yüksek hız anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü, batarya şarj devresi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.1A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5590 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok