Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH536DN
SISH536DN-T1-GE3 Hakkında
SISH536DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 24.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnç (3.25mOhm @ 10A, 10V) sayesinde verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount PowerPAK® 1212-8SH paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, voltaj dönüştürücüler, güç yönetim devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok