Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH472DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH472DN
SISH472DN-T1-GE3 Hakkında
SISH472DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 15A (Ta) / 20A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8SH yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8.9mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Düşük gate charge (30nC @ 10V) ve 997pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 997 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok