Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH410DN
SISH410DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISH410DN-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, 25°C'de 22A ve uygun şartlarda 35A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK 1212-8SH yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, düşük 4.8mΩ on-state direnci (Rds On) ile tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate voltajı ve 2.5V threshold voltajında çalışır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir işlem sunar. Anahtarlama uygulamalarında, dc-dc dönüştürücülerde, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 41nC gate charge ve 1600pF input capacitance ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok