Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH407DN
SISH407DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISH407DN-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistör olup 20V Drain-Source gerilimi altında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 15.4A, soğutma levhası ile (Tc) 25A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK 1212-8SH yüzey montajlı paket ile küçük alanlı uygulamalarda kullanılır. 9.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılan endüstriyel MOSFET'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.4A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93.8 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2760 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok