Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH402DN
SISH402DN-T1-GE3 Hakkında
SISH402DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim değeri ile 19A (Ta) / 35A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8SH yüzey montajlı paketinde üretilen bu FET, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. Gate charge değeri 42nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok