Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH129DN
SISH129DN-T1-GE3 Hakkında
SISH129DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14.4A sürekli dren akımı (Ta) / 35A (Tc) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8SH yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük 11.4mOhm on-state direnci ve 71nC gate yükü ile karakterize edilir. -50°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 2.8V eşik gerilimi ile hızlı ve kontrollü anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.4A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3345 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 14.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok