Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH116DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH116DN
SISH116DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISH116DN-T1-GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 10.5A sürekli drenaj akımı sağlar. PowerPAK 1212-8SH yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlara entegre edilir. Maksimum 7.8mOhm on-state direnci (Rds On) ve 2.5V kapı eşik gerilimi özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok