Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH112DN
SISH112DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISH112DN-T1-GE3, 30V drain-source gerilimi ve 11.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK 1212-8SH yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 7.5mOhm(10V,17.8A) on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -50°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor sürücülerinde kullanılan genel amaçlı MOSFET çözümüdür. 1.5W maksimum güç dağıtımı ve hızlı switching karakteristiği ile kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2610 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 17.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok