Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH106DN
SISH106DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SISH106DN-T1-GE3, 20V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 12.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. 6.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. PowerPAK® 1212-8SH yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 27nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok