Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8SH
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISH101DN
SISH101DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISH101DN-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ile 16.9A (Ta) / 35A (Tc) sürekli drain akımına sahiptir. PowerPAK 1212-8SH yüzey montajlı paket ile sunulur. Rds(on) maksimum değeri 7.2mΩ (10V, 15A koşullarında) olup düşük açık dirençle karakterizedir. Gate charge 102nC, giriş kapasitesi 3595pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 3.7W (Ta) / 52W (Tc) güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.9A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8SH |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok