Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISC06DN
SISC06DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISC06DN-T1-GE3, N-kanallı MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim değeri ve 27.6A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 2.7mOhm (10V, 15A) RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.6A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2455 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok