Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA72ADN
SISA72ADN-T1-GE3 Hakkında
SISA72ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 25.4A ve çip sıcaklığında 94A'e kadar sürekli drenaj akımını barındırır. 3.25mΩ maksimum on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. 50nC gate charge ve 2530pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.4A (Ta), 94A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok