Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA40DN
SISA40DN-T1-GE3 Hakkında
SISA40DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 43.7A sürekli drain akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzey monte paket tipinde sunulan bu FET, düşük 1.1mOhm RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve motorlu uygulamalarda kullanılır. Gate charge değeri 53nC olup, 10V sürücü geriliminde tam açılır. Yüksek akım işleme kabiliyeti ve kompakt boyutu ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43.7A (Ta), 162A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3415 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +12V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok