Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA35DN
SISA35DN-T1-GE3 Hakkında
SISA35DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi ile 10A (Ta) / 16A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (19mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda kullanılır. 42nC gate charge ve 1500pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok