Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA26DN
SISA26DN-T1-GE3 Hakkında
SISA26DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük 2.65mOhm (10V, 15A'da) RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 39W güç kayıplaşmasını yönetebilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılır. 44nC kapı yükü ve 2247pF giriş kapasitansı, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2247 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok