Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA24DN
SISA24DN-T1-GE3 Hakkında
SISA24DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paket tasarımı ile kompakt devreler için uygundur. 1.4mΩ (10V, 15A koşullarında) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 26nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2650 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok