Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA18ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA18ADN
SISA18ADN-T1-GE3 Hakkında
SISA18ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilim derecelendirilmiş ve 38.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (7.5mOhm @ 10A, 10V) ile yüksek verimli güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V-10V gate sürme geriliminde çalışır. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında operas yoneldir. DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok