Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA16DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA16DN
SISA16DN-T1-GE3 Hakkında
SISA16DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 16A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK® 1212-8 SMD paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sunar. 6.8mOhm (10V, 15A koşullarında) düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC/DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 47nC gate charge ve 2060pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok