Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA14BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA14BDN
SISA14BDN-T1-GE3 Hakkında
SISA14BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'i olup, 30V drain-source voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 21A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 72A drenaj akımı (Tc) kapasitesi ile anahtarlama ve doğrultma devrelerinde tercih edilir. 5.38mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilmektedir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC-DC konvertörler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 917 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.38mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok