Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA12BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA12BDN
SISA12BDN-T1-GE3 Hakkında
SISA12BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecesi ve 24A (Ta) / 87A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 4.3mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SISA12BDN, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 32nC gate charge ve 1470pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 87A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok