Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA10DN
SISA10DN-T1-GE3 Hakkında
SISA10DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulur. 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği ve hızlı anahtarlama özelliği ile PWM kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2425 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok