Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA10BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA10BDN
SISA10BDN-T1-GE3 Hakkında
SISA10BDN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecelendirmesine ve 26A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8 SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük on-direnci (3.6mOhm @ 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve yüksek güç dağıtım kapasitesi (63W @ Tc) ile tasarlanmıştır. 4.5V-10V gate sürüş voltajı aralığında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 104A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok