Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA04DN
SISA04DN-T1-GE3 Hakkında
SISA04DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 40A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, maksimum 2.15mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 52W güç dağıtabilir. 77nC gate charge ve 3595pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.15mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok