Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SISA01DN
SISA01DN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SISA01DN-T1-GE3, PowerPAK 1212-8 paketinde üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 22.4A (Ta) / 60A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.9mΩ (10V, 15A) on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç anahtarlama, DC-DC konvertörler, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 84nC gate charge ve 3490pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok