Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS892DN
SIS892DN-T1-GE3 Hakkında
SIS892DN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface Mount PowerPAK® 1212-8 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 29mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 21.5nC kapı yükü ve 611pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 3.7W (Ta) ve 52W (Tc) güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 611 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok