Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS892ADN
SIS892ADN-T1-GE3 Hakkında
SIS892ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 28A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 33mOhm maksimum On-Resistance (Rds On) değeri ile düşük ısıl kayıp sağlayan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. PowerPAK® 1212-8 yüzey monte paketi kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate drive voltajında 19.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok