Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS890ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS890
SIS890ADN-T1-GE3 Hakkında
Vishay SIS890ADN-T1-GE3, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli 7.6A (Ta) / 24.7A (Tc) drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. PowerPAK 1212-8 paketinde sunulan bu FET, düşük 25.5mΩ on-state direnci ve 29nC gate charge ile switch uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, 3.6W (Ta) / 39W (Tc) güç tüketim kapasitesine sahiptir. Motor kontrolleri, DC-DC konverterler, güç anahtarlaması ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta), 24.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok