Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SIS862ADN
SIS862ADN-T1-GE3 Hakkında
SIS862ADN-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ile 15.8A sürekli (Ta) ve 52A (Tc) akım taşıyabilir. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük 7.2mΩ RDS(on) değeri sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, motor kontrol, DC-DC konverterler, güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 2.5V eşik gerilimi ile hızlı açılış-kapanış işlemleri gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta), 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1235 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok